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Características del diodo de Schottky
Feb 01, 2018


Las principales ventajas del SBD incluyen dos aspectos:


1) ya que la altura de la barrera de Schottky es inferior a la altura de barrera de Unión PN, la tensión de umbral de conducción hacia adelante y la caída de tensión directa son inferiores (unos 0, 2V) que el diodo de Unión PN.


2) desde SBD es un dispositivo de conducción de portador de mayoría, no existen minorías portador toda la vida y problemas de recuperación inversa. Tiempo de recuperación inversa de SBD es sólo la barrera Schottky capacitor carga y descarga de tiempo, completamente diferentes desde el tiempo de recuperación inversa de diodo de Unión PN. Carga de recuperación inversa de SBD es muy pequeño, por lo que la velocidad de conmutación es muy rápida, la pérdida de conmutación también es muy pequeña, especialmente para aplicaciones de alta frecuencia.


Sin embargo, la tensión de ruptura inversa es relativamente baja debido a la delgada barrera inversa de la SBD y su desglose fácilmente sobre su superficie. SBDs son más susceptibles a la ruptura térmica que los diodos de Unión PN, la corriente de fuga inversa es más grande que el diodo de Unión PN.


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